Rozdíl mezi iontovou implantací a difúzí

Iontová implantace a difúze jsou dvě techniky používané při výrobě polovodičů s některými dalšími materiály. Hlavní rozdíl mezi iontovou implantací a difúzí spočívá v tom, že iontová implantace je izotropní a velmi směrová, zatímco difúze je izotropní a dochází k boční difúzi.

1. Proč je preferována iontová implantace před difúzí?
2. Co je míněno iontovou implantací?
3. Jaká je výhoda použití procesu iontové implantace?
4. Proč je po iontové implantaci nutné žíhání?
5. Co je iontová implantace v polovodičích?
6. Co je žíhání při iontové implantaci?
7. Co je iontové směrování?
8. Co je kalení plamenem a iontová implantace?
9. Co obsahuje iontový zdroj?

Proč je preferována iontová implantace před difúzí?

Viděli jsme, jak byly dopanty zavedeny do oplatky pomocí difúze („předepozice“ a „vjezd“). Iontová implantace je upřednostňována, protože: - lze zavést - řízenou, nízkou nebo vysokou dávku (1011 - 1018 cm-2) - lze regulovat hloubku implantátu. Používá se od roku 1980, navzdory poškození substrátu; nízká propustnost a náklady.

Co je míněno iontovou implantací?

Iontová implantace je proces povrchové úpravy, při kterém se ionty dusíku nebo uhlíku zrychlují a vytvářejí tak, aby pronikly na povrch součásti a poskytly odolnost proti opotřebení. ... Pomocí tohoto přístupu lze na povrch součásti nasměrovat paprsek iontů s vysokou energií (50 až 200keV).

Jaká je výhoda použití procesu iontové implantace?

Mezi výhody iontové implantace patří schopnost implantovat prakticky jakýkoli iontový druh do jakéhokoli substrátu s vysokou úrovní kontroly umístění (laterální a hloubkové) a složení.
...
Úvod.

Proč je po iontové implantaci nutné žíhání?

Během implantace jsou implantované dopující látky bombardovány do křemíku a tento proces produkuje bodové vady v mřížce. ... Podmínky žíhání mají zásadní vliv na iontově implantované solární články, protože řídí aktivaci a difúzní profil iontově implantovaných dopantů.

Co je iontová implantace v polovodičích?

Iontová implantace je nízkoteplotní proces, při kterém se ionty jednoho prvku urychlují na pevný cíl, čímž se mění fyzikální, chemické nebo elektrické vlastnosti cíle. Iontová implantace se používá při výrobě polovodičových součástek a při dokončování kovů, jakož i při výzkumu materiálových věd.

Co je žíhání při iontové implantaci?

Žíhání poškození iontovým implantátem. Žíhání poškození iontovou implantací. Iontová implantace je proces ukládání chemických příměsí do substrátu přímým bombardováním substrátu vysokoenergetickými ionty ukládané chemikálie..

Co je iontové směrování?

Vliv krystalové mřížky na trajektorie iontů pronikajících do krystalu je známý jako channeling - termín, který vizualizuje atomové řady a roviny jako vodítka, která řídí energetické ionty podél kanálů mezi řádky a rovinami.

Co je kalení plamenem a iontová implantace?

Indukční kalení zahrnuje použití indukovaných elektrických proudů k velmi rychlému generování tepla pomocí hystereze, obvykle u obrobku vyrobeného ze střední až vysoce uhlíkové oceli. Kalení plamenem využívá kyslíko-palivové hořáky k ohřevu obrobku vedením.

Co obsahuje iontový zdroj?

Zdroj iontů je zařízení, které vytváří atomové a molekulární ionty. Zdroje iontů se používají k tvorbě iontů pro hmotnostní spektrometry, optické emisní spektrometry, urychlovače částic, iontové implantáty a iontové motory.